TLC中文翻译，trial中文翻译

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于TLC中文翻译的问题，于是小编就整理了2个相关介绍TLC中文翻译的解答，让我们一起看看吧。

目前sata固态硬盘买TLC和MLC的有什么区别？

首先要跟你说下什么是MLC什么是TLC，他们其实都是NAND闪存，本质上是Floating Gate MOSFET，利用通电与否代表1、0状态，数据写入闪存时会加电瞬间会产生强大的电场，这会破坏隧道氧化层的原子结合，脱离的电子就会上升到浮栅极上以形成电位变化，断电之后电子还会恢复正常位置，这样反复的断电-加压就形成了不同的电位信号。

SLC的每个cell单元只1个信号位，有0和1两种信号，所以每单元只能存储1bit的数据，MLC则有2个信号位，四种数据信号，每单元可存储2bit数据，TLC有3个信号位，八种数据信号，每单元可存储3bit数据，QLC有4个信号位，十六种数据信号，每单元可存储4bit数据。

然而随着每单元存储数据的增多，控制复杂度也随之上升，可靠性也随之下降，TLC的编程、擦除速度比MLC慢得多，闪存寿命也直线下降，MLC的P/E次数是3000-5000次，而TLC的P/E只有1000次，好点的可能做到1500次。

随着现在3D TLC闪存的量产，3D TLC的速度和耐久度都比传统的2D TLC好得多，当然了还是没MLC好，=不过3D TLC的表现确实很不错，大量TLC SSD准备换用3D TLC闪存了。

至于你想选选购128GB的固态硬盘，有钱的话当然可以考虑直接上MLC的SSD，然而现在低价的MLC SSD已经很难找了，特别是128GB这种小容量的，建兴T9京东现在还能买得到，用的是eMLC闪，耐久度比较好，不过要499元。TLC的选择就比较多，性能比较好的如三星850 120GB，价格449元，那些300元以下的价格就太低了不建议选购。如果主板有M.2接口的话可以考虑Intel 600p 128GB，速度比那些SATA的高不知道那里去了，价格也在500元内。

区别？对于普通用户来说，区别就是价格。由于实现存储的原理有点区别，SSD分为SLC,MLC,以及TLC,QLC，寿命由长到短，存储密度由低到高，每单位存储成本也是由高到低。

区别的细节就不描述了，这方面知识一搜一大把，但往往用户关心的，是：我该买什么样的SSD？

如果只是作为日常使用，不在乎资料的重要性，那么，现在市场上最多的TLC就可以满足需求，前提是正规厂家产品，而非前面爆出来的黑片门。日常使用情况下，在一个SSD的寿命周期内（大约10年），一般你是不会把SSD用到报废的。如果你是重度下载用户，可以选择MLC产品，相对寿命比TLC高太多。SLC就不推荐了，价高不说，打着灯笼也难以买到消费级的产品。

对于数据有较高要求的用户，建议购买HDD，量大！便宜！组raid1，数据安全有保障。最重要的，SSD一旦故障，数据基本就是无法恢复的，而HDD是可以修复数据的（当然，价格也不便宜）。

有必要纠结MLC还是TLC吗？

老调重弹，谈起SSD绕不过的问题就是颗粒选择。首先来了解一下SLC、MLC和TLC的区别，当然最近还有一个新秀即将登场，就是QLC。

SLC 和MLC分别是是Single-Level Cell 单层单元和Multi-Level Cell多层单元的缩写，以此类推，TLC和QLC即三层单元和四层单元的缩写。原理上解释的话，SLC也就是在一个单元上只存储1bit的数据，而MLC要存储2bits，TLC需要存储3bits，QLC则达到4bits数据。每个单元上存储的数据越多，结构也就越复杂，出错几率也就越高，需要更多的修正操作，理论性能也就更低。而由于每个存储单元在存储更多数据的情况下，访问也就更加频繁，磨损也就更大，相应的寿命也就更低。

但是，性能问题可以通过更强性能的主控和算法优化逐渐提升，3D NAND技术也很大程度上改善了性能。而寿命方面，即使是号称寿命大幅提高的3D TLC，终究不能和MLC相媲美。但如果TLC就真的不够用吗？

以250GB的三星970EVO为例，保修政策为5年或150TBW，5年为260周，则平均每周需要完成577GB的写入，平均每天82GB的写入，相当于每三天把硬盘数据重新更换一遍。这样的寿命对于大多数普通消费者来说基本不必担心。

谢邀

日常生活中，我们买U盘或固态都会看到详情页写着这样的字样，SLC、MLC等，那么它们之间到底有什么区别呢？

SLC，它的优点是传输速度快，寿命长。缺点是成本太高，不太适合普通用户。一般用于企业级固态硬盘中。

MLC，它的成本相对于SLC较低，价格适中，相比SLC，传输速度慢一些，但价格有优势。

TLC，它的寿命短，相比于MLC，传输速度更慢。后来出了一个3D-TLC，可以延长TLC寿命问题，让它和MLC基本持平。

总结：SLC由于较高的成本，导致售价过高，不太适合普通用户；而MLC因为有成本优势，价格亲民，速度相对SLC慢一些，但价格和速度都均衡，所以性价比很高。TLC一般用于入门级固态，中端一般MLC，高端SLC。大家在选择时，根据预算购买即可。

从以上我们可以看出，MLC的速度是快于TLC，而且价格也相对高一些，所以如果预算充足还是建议上MLC；反之TLC也不差，省点钱买零食不香吗。

希望回答对你有所帮助，欢迎大家在评论区发表自己不同的观点，【关注我】了解更多游戏本知识。

什么是TLC颗粒？与MLC、SLC区别

首先就要说说TLC是什么。简单来说TLC就是一种成本上相对比较偏向性价比的闪存颗粒

SLC MLC TLC规格对比

TLC其实只是一个形容词，我们所说的TLC指的是TLC闪存，而其中的TLC指的是Triple Level Cell，直接翻译过来叫做3阶单元，比较通俗的意思就是“一个单元可以存储3个信息”，相对应的MLC芯片为“一个单元可以存储2个信息”，SLC芯片则为“一个单元可以存储1个信息”。

可能有人会说这不就是个集成度多少的问题吗？事实不是这样，无论是SLC、MLC、SLC其一个单元本身的晶体管数量是相似的，也就是说我们用物理上差不多的东西储存了更多的信息。但是存储更多的信息就等于带来了更多不稳定。

MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)基本结构

那么闪存的结构是什么样子的呢？请大家看上图，在对一个闪存单元编程的时候，电压加到控制栅极(control gate)上，形成一个电场，让电子穿过硅氧化物栅栏，达到浮动栅极(floating gate)。穿越过程完成后，控制栅极上的电压会立刻降回零，硅氧化物就扮演了一个绝缘层的角色。单元的擦除过程类似，只不过电压加在硅基底(P-well)上。

1.固态硬盘就是用NandFlash来储存…Nand的特点是每一位只能由1变0…不能由0变1…8位1字节…528字节是一个page…2048-8192个page是一个block…很多block是一个zone…当想要写入数据时…就需要一个擦除erase操作…但erase是针对block的…也就是写一次写一个page…擦一次一个block…擦完才能写…读和写都不损耗Nand寿命…擦损害Nand寿命…

2.如果执行擦操作后…还是有的位仍然为0…就说明这个block坏了…一个block的寿命为1到无限次…可能有的怎么写都不坏…有的一次就坏…但Nand的平均寿命还是比较靠谱的…MLC每个block平均能3000次…TLC每个block评论能1000次…

3.减少擦写是提高寿命的关键…每次写数据总往已擦次数少的的block里写…再做个映射表…这个叫磨损均衡…问题是有的已擦次数少的block里有数据怎么办？先挪走…再写…这个就是你固态硬盘会掉速的原因…

4.这样硬盘的寿命就等于 Nand Block的擦写次数 乘以 硬盘block数量…也就是同样的TLC或MLC…容量越大…寿命越长…1T的固态就是128G的十倍寿命…如果MLC是3000次…TLC是1000次…那么100G的MLC和300G的TLC寿命一样…

5.这样我们就发现问题了…100G的MLC和300G的TLC寿命一样…那么如果我发明一个QLC只有500次擦写…那么600G的QLC也和100G的MLC寿命一样…以此类推…如果有个XLC寿命只有1次…那么300T的容量和100G的MLC寿命一样…

6.如果TLC价格是MLC的33%…那么MLC就死定了…如果QLC是MLC价格的17%…那么MLC也死定了…以此类推…最终完美的固态硬盘是300T容量只能写一次…

7.理论上...TLC是新技术新革命…TLC也应该是MLC价格的一半甚至更低…但现实不是这样…这是市场的问题…不是技术的问题…所以你感受不出TLC的伟大…

为什么感觉只有安卓才提ufs？而ios却不提？

感谢您的阅读！

UFS是什么？在一加7pro使用上了UFS3.0后，似乎就给一加装上了螺旋桨，直接让它飞上了天！可是，iPhone手机为什么没有提到过UFS呢？它到底是个啥？

说到这里，我们自然需要了解Flash！闪存，实际上也就是存储工具，说的在透彻一点，闪存就是ROM（当然，这句话不严谨，但大体上可以这样称呼。）

（RAM是指随机处理器，而ROM是只读处理器，前者又叫运存，后者是我们简称的内存。当然，RAM相当于电脑的内存，ROM相当于电脑的硬盘）

我们过去经常给手机安装的SD卡，其实就是闪存卡！

我们了解了闪存，就要知道，手机闪存主要有两种，一种由MMC制定的存储规格，简称为eMMC；另外一种是UFS，是一种基于UNIX文件系统的简称（电脑上使用的是SSD）

UFS是主流旗舰机型的存储方案，基本上现在用UFS2.1的比较多，而使用UFS3.0的就比较少了，比如一加7 pro，Rog2等等。而eMMC方案基本上很少使用了，当年的闪存门问题，确实导致了很多人的质疑。

那么，UFS3.0比UFS2.1有什么优势呢？我们在一加官网中找到了这张对比图：明显感觉到，UFS3.0的读取速度为1416.22MB/s，而UFS2.1的读取速度为697.79M/s。

差异明显，实际上UFS3.0读写速度比UFS261快了79%，意思是读取手机内存文件得速度更快，手机更流畅。

我们了解了这些，现在说说为什么苹果没有使用UFS呢？目前，手机中只有苹果使用NVMe协议。当然，在电脑性能，NvMe的优势很明显了，它极大提升了硬盘的读取速度，读带宽从500MB/s提高到了3200MB/s，写带宽从400MB/s提高到了1200MB/s左右！

当然，NvMe是一种存储设备通信协议，它的本质是建立了多个计算机与存储设备的通路，所以它的速度自然更快。

到此，以上就是小编对于TLC中文翻译的问题就介绍到这了，希望介绍关于TLC中文翻译的2点解答对大家有用。